EUV BLANK MASK
EUV 블랭크 마스크 핵심 3요소
극자외선(EUV) 리소그래피용 블랭크 마스크는 기판(LTEM), 다층 반사막(Multilayer), 흡수층(Absorber) 세 가지 핵심 요소로 구성됩니다. 에스앤에스텍은 이 전체 구성 요소를 아우르는 원천 기술을 연구·개발합니다.
1SUBSTRATE
LTEM 기판
Low Thermal Expansion Material
열적 팽창에 의한 position error를 제거하는 열팽창계수 ~zero의 기판.
2REFLECTOR
Multilayer 다층막
Mo/Si Bragg Mirror
저굴절률·고굴절률 pair를 40회 반복 증착하여 EUV 파장을 60% 이상 반사시키는 Bragg Mirror.
3ABSORBER
Absorber 흡수층
Pattern-forming thin film
Dark-field를 형성하여 노광 광에 패턴 정보를 형성하는 박막.
R&D ROADMAP
주요 EUV 연구개발 실적 및 현황
극자외선(EUV) 핵심 기술 확보를 위한 단계적 개발을 수행하며, 소재·공정·검사 기술의 고도화와 산업 적용을 추진하고 있습니다.
1기초 원천기술 개발
2소재·공정 고도화
3AI 기반 검사·실증
4산업화 적용
| 과제명 | 개발목표 | 수행기간 | 비고 |
|---|---|---|---|
| 극자외선 리소그래피용 블랭크 마스크 기술 개발 | 기판(LTEM)·Multilayer·Absorber를 포함한 EUV BIM의 전체 구성 요소 개발 | 2020~2025 | 과제 주관기관 |
| Sub 5nm node용 블랭크 마스크 흡수층 기술 대면적화 기술 개발 | EUV Blankmask 흡수층 물질 양산기술 개발 | 2023~2024 | 위탁기관 참여 |
| 극자외선 반사경의 반사막 코팅 장치 및 공정기술 개발 | EUV용 Mirror(Multilayer) 공정기술 평가 및 개발 | 2024~2028 | 수요기업 참여 |
| EUV 마스크 결함 추론 및 분류를 위한 AI 기반 품질검사 기술 개발 및 실증 | EUV Blankmask AI 기반 결함 검출 기술 개발 | 2025~2028 | 과제 주관기관 |
| Logic 3nm 이하 반도체 소자 제조를 위한 극자외선 대응 하드마스크 위상반전 블랭크 마스크 기술개발 | EUV HM-PSM 개발 | 2025~2028 | 과제 주관기관 |
EUV용 핵심 소재·공정·검사 기술의 국산화 및 고도화를 목표로 5개의 국책과제를 수행합니다.
기초 원천기술 개발부터 산업화 적용까지 이어지는 로드맵 기반 연구를 추진합니다.
산학연관 협력을 통해 기술 자립과 산업 경쟁력 강화를 도모합니다.
R&D DETAILS
EUV 연구개발 세부 현황
각 국책과제별 기술 개요와 개발 목표, 세부 추진 내용입니다.
과제 1
극자외선 리소그래피용 블랭크 마스크 기술 개발
기판(LTEM)·Multilayer·Absorber를 아우르는 EUV 블랭크 마스크 핵심 요소 기술 개발
과제 2
Sub 5nm node용 블랭크 마스크 흡수층 대면적화 기술 개발
흡수층 물질의 대면적화 및 양산 공정 기술을 개발하여 Sub 5nm 공정 대응 고성능 흡수층 구현
과제 3
EUV 마스크 결함 추론·분류를 위한 AI 기반 품질검사 기술개발 및 실증
AI 기반 검사 자동화와 오검출 저감으로 EUV 블랭크 마스크 품질 보증 체계 구축
과제 4
Logic 3nm 이하 반도체 소자 제조를 위한 EUV HM-PSM 기술개발
하드마스크 위상반전 블랭크 마스크의 소재·공정·평가 기술 확보 및 EUV 마스크 자립화 기반 강화
