EUV PELLICLE
什么是EUV防尘薄膜（Pellicle）？
为保护昂贵的EUV掩模免受颗粒（异物）污染而制作的超薄膜形态半导体核心部件。 为使落在掩模表面的异物不被转印到晶圆上，让光透过而使颗粒偏离焦点。
Particle contamination mitigation by EUV pellicle
STRUCTURE
EUV防尘薄膜结构
Cross-sectional TEM · Tri-layer
20nm以下的3层超薄膜
防尘薄膜由 3层（Tri-layer）结构 构成，整体厚度为 20nm以下。设计上在最大限度透过极紫外光的同时，兼顾机械耐久性与热稳定性。
< 20nm
薄膜整体厚度
3-Layer
Tri-layer 结构
Full-size
量产规格薄膜
应对高功率EUV光源的新一代材料R&D
Si基材料金属硅化物 (MeSi)纳米材料 (Nano)碳基材料 (Carbon-based)
PROCESS
EUV防尘薄膜是如何制造的
Si基防尘薄膜制造工艺 — 从晶圆开始、仅留下超薄膜的6个步骤
1
晶圆准备
Wafer preparation
2
薄膜沉积
Membrane deposition
3
蚀刻掩模沉积
Etching mask deposition
4
背面图案化
Backside patterning
5
Si湿法刻蚀
Si wet etching
6
全尺寸防尘薄膜
Full-size pellicle
FRAME & ASSEMBLY
Pellicle-Frame Assembly
本公司将自主研发的防尘薄膜与框架结合，制作完成的组件。
本公司研发防尘薄膜
Pellicle membrane
+
本公司研发 Frame
Pellicle frame
→
Pellicle-Frame Assembly
Assembled pellicle
PERFORMANCE
S&S TECH Pellicle Performance
| Category | Item | Measured value |
|---|---|---|
| Membrane · Optical | 透过率 (Transmittance) | 92 ± 0.5 % |
| 反射率 (Reflectance) | 0.015 ± 0.005 % | |
| Membrane · Mechanical | 抗拉强度 (UTS) | 2.4 ± 0.2 GPa |
| 破裂压力 (Rupture pressure) | 50 ± 5 Pa | |
| Reliability | 寿命 (Lifetime) | 25K wafers @ 500W |
| 薄膜释气 (RBS) | No change | |
| 缺陷 (Defectivity) | No particles ≥ 10 µm | |
| Frame (自主研发) | 释气 (Out-gassing) | Pass |
| 加速度 (Acceleration) | 35 G |
* 上述数值为本公司测量基准的代表值，产品规格可能因客户要求及工艺条件而有所不同。