EUV BLANK MASK
EUV空白掩模核心3要素
极紫外(EUV)光刻用空白掩模由 基板(LTEM)、多层反射膜(Multilayer)、 吸收层(Absorber)三大核心要素构成。S&S Tech 研发涵盖这全部构成要素的原创技术。
1SUBSTRATE
LTEM 基板
Low Thermal Expansion Material
消除因热膨胀导致的 position error、热膨胀系数约为零的基板。
2REFLECTOR
Multilayer 多层膜
Mo/Si Bragg Mirror
将低折射率·高折射率 pair 重复沉积40次，反射60%以上EUV波长的 Bragg Mirror。
3ABSORBER
Absorber 吸收层
Pattern-forming thin film
形成 dark-field、在光刻光上形成图案信息的薄膜。
R&D ROADMAP
主要EUV研发业绩及现状
为确保极紫外(EUV)核心技术，开展分阶段开发，推进材料·工艺·检测技术的高度化及产业应用。
1基础原创技术开发
2材料·工艺高度化
3基于AI的检测·验证
4产业化应用
| 课题名 | 开发目标 | 执行期间 | 备注 |
|---|---|---|---|
| 极紫外光刻用空白掩模技术开发 | 开发包含基板(LTEM)·Multilayer·Absorber在内的EUV BIM全部构成要素 | 2020~2025 | 课题主管机构 |
| Sub 5nm node用空白掩模吸收层大面积化技术开发 | EUV Blankmask 吸收层材料量产技术开发 | 2023~2024 | 委托机构参与 |
| 极紫外反射镜的反射膜镀膜装置及工艺技术开发 | EUV用 Mirror(Multilayer) 工艺技术评估及开发 | 2024~2028 | 需求企业参与 |
| 用于EUV掩模缺陷推断及分类的AI质量检测技术开发及验证 | EUV Blankmask 基于AI的缺陷检测技术开发 | 2025~2028 | 课题主管机构 |
| 用于制造Logic 3nm以下半导体器件的极紫外对应硬掩模相移空白掩模技术开发 | EUV HM-PSM 开发 | 2025~2028 | 课题主管机构 |
以EUV核心材料·工艺·检测技术的国产化及高度化为目标，执行5个国家研发课题。
推进从基础原创技术开发到产业化应用的路线图式研究。
通过产学研政合作，谋求技术自立与产业竞争力强化。
R&D DETAILS
EUV研发详细现状
各国家研发课题的技术概要、开发目标及详细推进内容。
课题 1
极紫外光刻用空白掩模技术开发
涵盖基板(LTEM)·Multilayer·Absorber的EUV空白掩模核心要素技术开发
课题 2
Sub 5nm node用空白掩模吸收层大面积化技术开发
开发吸收层材料的大面积化及量产工艺技术，实现应对Sub 5nm工艺的高性能吸收层
课题 3
用于EUV掩模缺陷推断·分类的AI质量检测技术开发及验证
通过基于AI的检测自动化与降低误检，构建EUV空白掩模质量保证体系
课题 4
用于制造Logic 3nm以下半导体器件的EUV HM-PSM技术开发
确保硬掩模相移空白掩模的材料·工艺·评估技术，强化EUV掩模自主化基础
